武智 敏について
武智 敏(たけち さとし)は、日本の
工学者および
技術者で、
富士通セミコンダクターの担当部長として数々の業績を残しています。特に、LSI(大規模集積回路)の製造において、重要な役割を果たすリソグラフィ技術の分野で実用的なレジスト材料の開発に寄与しました。
ArFエキシマレーザー光とリソグラフィ技術
LSI製造では、リソグラフィ技術を用いて回路パターンをシリコンウェハー上に焼き付けます。この過程で、光を使って感光性樹脂(レジスト)にパターンを転写するため、適切な光源を選ぶことが極めて重要です。特に100nm(0.1µm)以下の微細パターンを扱う場合、従来のレジストはArF(アルゴンフルオリド)エキシマレーザー光の吸収が強く、効果的に利用できませんでした。この課題に対して、武智は画期的な解決策を見出しました。
アダマンチル基の発見とレジスト開発
武智は、アダマンチル基という炭素が環状になった脂環構造を持つ材料が、ArF光に対して透明であることを発見しました。従来のレジストの課題を乗り越え、高品質なレジスト材料の開発に成功しました。しかし、アダマンチル基はその強い疎水性が問題となったため、武智は「脱離型アダマンチル基」と「高親水性ラクトン基」を組み合わせた新しい高性能レジストを開発しました。
この技術開発は1997年頃から工業化が始まり、結果的に世界中のLSI製造における標準技術となりました。おかげで、高速かつ低消費電力の高機能LSIが実現され、業界全体に大きな影響を与えています。
経済的インパクトと特許
武智の開発したレジスト材料は、現在では年間300億円を超える市場規模を誇っており、全体の半導体市場が約20兆円とされる中で、LSI製造に関しては年間10兆円規模の市場を支える存在となっています。また、この技術の特許は高く評価され、引用されることが非常に多く、その影響力は計り知れません。
経歴と受賞歴
武智は1980年に大阪大学基礎工学部合成化学科を卒業し、同年
富士通株式会社に入社しました。その後、1998年にはプロジェクト課長として、2003年には知的財産・技術支援部の役職に就き、2010年からは
富士通セミコンダクターの部長として活躍しています。彼の成果は多くの賞にも評価されており、2005年には文部科学大臣表彰科学技術賞を受賞、2010年には全国発明表彰の経済産業大臣発明賞、山崎貞一賞(材料分野)を受賞、2011年には大河内記念技術賞、2012年には紫綬褒章を受けるなど、多岐にわたる称賛を受けています。彼の研究と技術開発は、今後の半導体業界においてもますます重要な役割を果たすことでしょう。