電子回折とは、物質に
電子線を照射した際に発生する干渉現象、またはその干渉パターンを利用して物質の構造を解析する手法です。
電子線が
波動性を示す証拠としても知られ、
X線回折や
中性子回折と同様に、物質の対称性や
結晶構造の解明に役立ちます。
電子回折では、加速された
電子ビームを物質に照射します。物質を構成する原子や分子は規則的な配列(
結晶構造)を持つため、
電子線はこれらの原子・分子によって散乱されます。この散乱波が干渉することで、スクリーン上に特徴的な
回折パターンが形成されます。このパターンを分析することで、物質の
結晶構造や原子配列に関する情報を得ることができます。
電子回折実験には、
透過型[[電子顕微鏡]](TEM)が広く用いられています。TEMでは、
電子ビームを試料に透過させ、その透過波と散乱波の干渉パターンを直接観察します。また、
走査型[[電子顕微鏡]](SEM)を用いた
電子後方散乱
回折(EBSD)も、
結晶構造解析に用いられます。TEMやSEMでは、静電ポテンシャルによる加速によって
電子ビームに必要なエネルギーを与え、特定の波長に調整してから試料に照射します。
結晶物質は周期的な構造を持つため、
電子線に対して
回折格子として作用し、規則正しい散乱パターンを作り出します。このパターンを解析することで、結晶格子(ブラベ格子)の種類や格子定数などを決定できます。さらに、
回折強度の精密な測定から、
結晶構造の詳細な情報を得ることも可能です。ただし、
X線回折と同様に位相問題が生じるため、構造決定には高度な解析技術が必要です。
結晶だけでなく、非晶質材料や気体分子など、様々な物質の構造解析にも
電子回折は応用可能です。厚い試料の場合、多重散乱効果が無視できないため、
回折強度の計算には動力学的
回折理論を用いる必要があり、解析が複雑になります。しかし、この多重散乱効果は、
X線回折では見られないフリーデル則の破れを引き起こすため、結晶の対称性の決定に役立つ面もあります。
電子回折の基礎となるド・ブロイの物質波仮説が提唱されたのは1926年です。この仮説は、粒子も
波動としての性質を持つというもので、3年後、独立に実施された2つの実験でその実証がなされました。
一つは、
アバディーン大学の
ジョージ・パジェット・トムソンによる薄い金属膜への
電子ビーム透過実験です。この実験で、予想された干渉パターンが観測され、
電子の
波動性が確認されました。もう一つは、
ベル研究所の
クリントン・デイヴィソンとレスター・ジャマーによる結晶格子を用いた
電子ビーム透過実験です。これらの業績により、トムソンとデイヴィソンは1937年に
ノーベル物理学賞を受賞しました。
電子と物質の相互作用
電子回折における
電子と物質の相互作用は、
X線や
中性子回折とは異なります。
電子は
荷電粒子であるため、クーロン力によって原子核や
電子と相互作用します。一方、
X線は価
電子と、
中性子は原子核と主に相互作用します。さらに、
中性子は
磁気モーメントを持つため、
磁場による散乱も受けます。これらの相互作用の違いから、それぞれの
回折法は異なる用途に適しています。
回折ビームの強度と理論
電子回折における
回折ビームの強度は、運動学的近似を用いると、構造因子|Fg|²に比例すると表すことができます。構造因子は、結晶単位格子内の原子位置と原子散乱因子から計算されます。原子散乱因子は、
電子ビームの種類によって異なり、
電子回折では
X線回折とは異なる値を取ります。
電子の波長は、ド・ブロイの式λ=h/p(hは
プランク定数、pは
電子の運動量)で与えられます。
電子顕微鏡では、高電圧で加速された
電子を用いるため、
電子の速度は光速に近づき、相対論的効果を考慮する必要があります。相対論効果を考慮した
電子の波長は、加速電圧Uを用いて表現できます。TEMでは200kV程度の加速電圧を用いるため、
電子の波長は非常に短くなります。この短い波長が、高い解像度での
結晶構造解析を可能にしています。
固体の
電子回折は、TEMを用いて行われることが多いです。TEMでは、試料の薄い切片に
電子ビームを透過させ、その
回折パターンを蛍光スクリーンやCCDカメラで記録します。TEMにおける
電子回折は、
X線回折と比較して、いくつかの利点があります。
まず、TEMで加速された
電子の波長は、
X線回折に用いられる
X線の波長よりもはるかに短いため、より詳細な
回折パターンを得ることができます。さらに、
電子レンズを用いることで、制限視野
電子回折(SAED)や収束
電子回折(CBED)など、様々な
回折手法が可能です。CBEDは、結晶の三次元対称性を明らかにするのに有効です。
TEMにおける
電子回折は、
結晶構造解析だけでなく、EDSによる元素分析、EELSによる
電子構造解析、
電子ホログラフィーなど、様々な分析手法と組み合わせることが可能です。この多様な分析機能が、TEMにおける
電子回折の高い汎用性を支えています。
実用上の観点と装置
TEMにおける
電子回折では、試料を透過した
電子ビームが対物レンズによって後焦点面に
回折パターンを形成します。この
回折パターンを観察することで、
結晶構造を解析します。試料の傾斜によって得られる複数の
回折パターンから、三次元の逆格子をマッピングし、ブラベ格子の決定や対称性の解析を行うことができます。
TEMにおける
電子回折には、いくつかの制限があります。まず、試料は
電子線を透過できるほど薄くなければならず、試料作製には高度な技術と時間を要します。また、
電子線照射による試料の損傷も問題となります。磁性体試料の場合は、
磁場による
ローレンツ力が
電子軌道を乱すため、構造解析が困難になります。さらに、データ解析に多くの人的作業を必要とする点も、
電子回折の普及を妨げる要因の一つでした。
しかし近年、MicroED(Micro electron diffraction)などの技術開発により、微小結晶の構造解析も可能になりつつあり、
電子回折の利用範囲は拡大しています。