高木信一

高木 信一（たかぎ しんいち）

高木信一は、日本の電子工学界において著名な研究者であり、東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻及び工学部電気電子工学科で教授を務めています。特に、MOSFET（金属酸化膜半導体場効果トランジスタ）の高移動度化に関する研究で知られており、その業績は多くの分野で広く評価されています。

経歴

高木は1982年3月に東京大学工学部電子工学科を卒業し、続いて1987年3月に同大学院工学系研究科電子工学専攻の博士課程を修了しました。博士課程修了後、彼は1987年4月から東芝の総合研究所超LSI研究所にて研究員として働き始めました。この時期に、彼は半導体の研究において基盤となる知識と技術を身につけていきました。

その後、1993年8月にはスタンフォード大学にて客員研究員として活動し、国際的な研究ネットワークを構築しました。帰国後の1995年4月からは、東芝の研究開発センターで研究主務を務め、さらに2001年8月からは半導体MIRAIプロジェクトにおいて「新構造トランジスタ及び計測解析技術グループ」のリーダーを兼任しました。

2003年10月には、東京大学大学院工学系研究科の教授に就任し、研究と教育に力を注いでいます。彼の研究は、次世代の半導体技術の発展に貢献しており、業界からの注目を集めています。

主な受賞歴

高木はその業績により、多くの賞を受賞しています。2004年には日本IBM科学賞を受賞し、それに続いて2012年には山崎貞一賞を受賞しました。また、2013年にはIEEEアンドルー・グローヴ賞を受賞し、彼の研究が国際的にも高く評価されたことを示しています。さらに、2017年には紫綬褒章を受章し、その功績が日本国内でも認められています。

高木信一教授は、電子工学の分野において重要な影響を与え続けており、特に新しいトランジスタ技術の研究において先駆的な役割を果たしています。彼の研究室では、次世代半導体技術の実現に向けた取り組みが行われており、多くの学生や研究者にとっての学びの場ともなっています。高木の貢献は、これからの技術革新においても重要な位置を占めることでしょう。

外部リンク

• - 高木・竹中研究室
• - 高木信一 - KAKEN 科学研究費助成事業データベース
• - 日本の研究.com:177764

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