J. J. エバース賞

エバース賞（The J. J. Ebers Award）

エバース賞は、1971年に電子デバイスの革新と進展を支援する目的でIEEEによって設立された賞です。この賞は、特にトランジスタにおける重要な貢献を通じて、電子デバイスの技術や理解の形成に寄与した科学者であるジュエル・ジェームス・エバースの功績を讃えるものです。

毎年、この賞は電子デバイスの分野において、科学的、経済的、または社会的に意義のある貢献をした個人または団体に贈られます。受賞者には賞状とともに5,000ドルの賞金が授与され、その発表はIEEEの国際電子デバイス会議において行われます。この賞は、電子工学の発展に寄与する研究者たちの努力を顕彰する重要な機会と位置づけられています。

受賞者のリスト

受賞者はその年の特筆すべき業績に基づいて選出され、以下に主な受賞者を示します。

- 1971年: ジョン・L・モル
- 1972年: チャールズ・W・ミューラー
- 1973年: ハーバート・クレーマー
- 1974年: アンドルー・グローヴ
- 1975年: ジャック・I・パンクーヴ
- 1976年: マリオン・E・ハインズ
- 1977年: アンソニー・E・シーグマン
- 1978年: ハング・C・リン
- 1979年: ジェームズ・M・アーリー
- 1980年: ジェームズ・D・マインドル
- 1981年: チー・タン・サー
- 1982年: アーサー・G・ミルネス
- 1983年: アドルフ・ゲーツバーガー
- 1984年: 林厳雄
- 1985年: ウォルター・F・コソノッキー
- 1986年: パラブ・K・チャタジー
- 1987年: ロバート・W・ダットン
- 1988年: アル・F・タッシュ・ジュニア
- 1989年: タク・H・ニン
- 1990年: 武石喜幸
- 1991年: サイモン・ジィー
- 1992年: ルイス・C・パリーロ
- 1993年: カール・ヘス
- 1994年: アルフレッド・U・マクレイ
- 1995年: マーティン・グリーン
- 1996年: 酒井徹志
- 1997年: マービン・H・ホワイト
- 1998年: B・ジャヤント・バリガ
- 1999年: ジェームズ・T・クレメンス（MOS VLSI電子デバイスへの基本的貢献に対して）
- 2000年: バーナード・S・メイヤーソン（Si/SiGeへテロ構造の成長に対する貢献）
- 2001年: 岩井洋（CMOSデバイスのスケーリングに関するリーダーシップ）
- 2002年: レスター・F・イーストマン（高周波トランジスタ開発のリーダーシップ）
- 2003年: ジェームズ・D・プラマー（新しいデバイスへの貢献）
- 2004年: ジェリー・G・フォッサム（SOI CMOSデバイスの進展への貢献）
- 2005年: ビジャン・ダバリ（超微細CMOS技術への貢献）
- 2006年: グハーム・シャヒディ（SOI CMOS技術の開発）
- 2007年: スティーブン・J・ピアートン（化合物半導体技術の向上）
- 2008年: マーク・R・ピント（半導体技術シミュレーションツールへの貢献）
- 2009年: バルフ・レビュシュ（真空エレクトロニクスシミュレーションツールの開発）
- 2010年: マーク・E・ロー（シリコン集積回路プロセスモデリングへの貢献）
- 2011年: スチュアート・ウェンハム（太陽電池の高効率化への貢献）
- 2012年: ユアン・タウ（CMOSプロセスの進歩に対する貢献）
- 2013年: 寺西信一（埋込フォトダイオードの開発）
- 2014年: ヨアヒム・N・バーガーツ（無線通信IC用デバイスへの貢献）
- 2015年: 孫元成（エネルギー効率の高いCMOS技術への貢献）
- 2016年: ヤロスラフ・ヒネセク（CCD及びCMOSイメージセンサ技術への貢献）
- 2017年: カン・L・ワン（SiGeおよび磁気メモリ技術への貢献）
- 2018年: マイケル・シャー（ナノスケール半導体の分野での貢献）
- 2019年: H.-S. フィリップ・ウォン（シリコンデバイス分野への貢献）
- 2020年: アロキア・ナサン（薄膜トランジスタ及びフレキシブルエレクトロニクス統合戦略への貢献）
- 2021年: ブルース・グネイド（CMOS技術への材料貢献）
- 2022年: アルバート・ワン（集積回路のヘテロジニアス統合の信頼性への貢献）
- 2023年: ムクタ・ファルーク（3D ICの新しい統合アーキテクチャの開発）
- 2024年: ユエ・クオ（薄膜トランジスタへの貢献）
- 2025年: アンソニー・イェン

このように、エバース賞は電子デバイス分野における偉大な業績を称える重要なアワードであり、技術者や研究者にとっての大きな名誉とされています。また、受賞者たちの貢献は、今後の技術革新に向けての指針ともなっています。

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