松波弘之

松波 弘之 - SiC半導体の革新者

松波 弘之（まつなみ ひろゆき）は、日本の工学界において際立った業績を残している工学者で、特に炭化ケイ素（SiC）半導体の開発において多大な貢献を果たしました。大阪市出身であり、1939年に生まれ、京都大学において工学博士号を取得。その後、京都大学の名誉教授として長年研究を続けました。

業績の概要

松波氏は、従来研磨材や耐熱材料としてのみ利用されていたSiCに、半導体としての利用価値を見出しました。20年以上にわたる研究の結果、彼はSiC薄膜作製法において、結晶面に適度な傾斜角を導入することで結晶成長を制御する方法を確立しました。この方法により、彼は世界で初めて結晶の多形混在がない高品質なSiCのエピタキシャル成長を成功させたのです。

この成果により、高耐圧および低損失を実現したSiCショットキーバリアダイオードや高性能SiC電界効果トランジスタを開発し、SiCを用いた高性能パワーデバイスがシリコン半導体では実現できなかった領域に達することを世界に示しました。これにより、SiCは半導体材料の中で確固たる地位を確立しました。

学歴と経歴

松波氏は大阪府立市岡高等学校を卒業後、1962年に京都大学工学部電子工学科を卒業し、1964年には同大学院で修士号を取得。修了後、京都大学の助手としてキャリアが始まり、1971年には助教授に昇進しました。1976年から1977年にかけてはアメリカのノースカロライナ州立大学に客員准教授として招かれ、1983年には教授に昇進。2003年には京都大学を定年退官し、名誉教授の称号を授与されました。

さらに、2004年から2013年までは科学技術振興機構イノベーションプラザ京都の館長としても活動しました。

受賞歴

松波氏の業績は広く認知されており、多数の賞を受賞しています。1998年には日本結晶成長学会論文賞、2001年には山崎貞一賞を受賞。さらに2002年には文部科学大臣賞、2004年には応用物理学会研究業績賞や電子情報通信学会研究業績賞を獲得しました。2012年度の朝日賞や2016年のIEEEデイヴィッド・サーノフ賞、2017年の本田賞、2019年には瑞宝中綬章、2023年にはIEEEエジソンメダルを受賞するなど、彼の研究は国内外で高く評価されています。

出版物

松波氏は、多くの書籍や論文を著しており、その中には『半導体工学』（1984年、昭晃堂）や『半導体工学 第2版』（1999年、昭晃堂）などがあります。また、共編著として『Silicon Carbide Vol. I, II』（1997年、Akademie Verlag）や、研究成果をまとめた『半導体SiC技術と応用』（2003年、日刊工業新聞社）などもあります。これらの著作は、半導体技術における基礎や応用に関する重要な資料となっています。

松波弘之の業績は、SiC半導体の発展に留まらず、エレクトロニクス業界全体に多大な影響を与え続けており、研究者や技術者たちにとっての模範となる存在です。

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