舛岡富士雄

舛岡 富士雄: 日本の電子工学の先駆者

舛岡富士雄（ますおか ふじお、1943年5月8日生まれ）は、日本の電子工学における重要な研究者の一人です。彼は、フラッシュメモリの発明者であることで広く知られ、特にNOR型およびNAND型フラッシュメモリの開発を行ったことで評価されています。また、1988年には初のGate-all-around（GAA）MOSFET、すなわち非平面型3Dトランジスタの一種を発明し、半導体技術の進展に貢献しました。

学歴とキャリアの始まり

舛岡は1943年に群馬県高崎市で生まれました。1962年に群馬県立高崎高等学校を卒業後、1966年に東北大学工学部の電子工学科を卒業しました。彼は西澤潤一教授に師事し、同大学の大学院に進学すると、1971年には工学博士の学位を取得しました。その後、株式会社東芝に入社し、電子工学の分野でのキャリアがスタートしました。

フラッシュメモリの発明

東芝入社後、舛岡は高性能なメモリの開発に取り組みましたが、なかなか市場での成功を収めることができませんでした。そこで、彼は営業職を志願し、アメリカのコンピュータ会社を訪問しましたが、思うように販売成績を上げられず、1年も経たずに営業職から外されることとなりました。この経験から、彼は「性能は最低限で良い」という顧客のニーズに気づき、スペックの向上だけでなく、コスト効率も考慮した製品開発に目覚めました。これを契機に、情報を1ビットずつ操作するのではなく、一括で消去する新しいアプローチを考案し、結果的にフラッシュメモリの発明に至りました。

研究者としての歩み

1994年、舛岡は東芝を退社し、東北大学大学院情報科学研究科の教授として新たな道を歩み始めました。彼はその後も研究を精力的に行い、特にフラッシュメモリの容量を飛躍的に向上させる技術や、裾野の広い三次元構造のトランジスタに関する研究に力を注いできました。現在は、日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社の最高技術責任者（CTO）として活動しています。

賞と認識

舛岡はその業績により、多くの賞を受賞しています。1980年には全山允明表彰発明賞を受賞し、1997年にはIEEEモーリス・N・リーブマン記念賞を受賞。また、2007年に紫綬褒章を受章したほか、2013年には文化功労者としても認定されました。2018年には本田賞を受賞し、その業績に対する評価は現在でも高まっています。

特許と論文

舛岡は、アメリカ合衆国でいくつかの特許を取得しており、その内容はフラッシュメモリや構造型トランジスタに関するものです。これに加え、彼は数多くの学術論文を発表しており、高性能CMOS Surrounding Gate Transistorについての研究なども行っています。

技術と市場の影響

舛岡が退社した後、東芝は彼の発明したNAND型フラッシュメモリの技術をサムスン電子に供与しましたが、その結果、サムスンは巨額の投資を通じてフラッシュメモリ市場でのシェアを獲得し、東芝を追い抜く形になりました。舛岡自身は、日本だけでなく国際的に評価されるべき技術を生み出したが、少なからず自身の貢献が正当に評価されていないと感じていたとっています。

結論

舛岡富士雄の功績は、フラッシュメモリという技術革新にとどまらず、電子工学のさまざまな面に影響を与えています。彼の研究は今もなお進化を続けており、未来の技術にも多大な影響を及ぼすことでしょう。

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