ゴードン・ムーア

ゴードン・ムーア (Gordon E. Moore)

ゴードン・ムーアは、1929年1月3日にアメリカのサンフランシスコ南部で生まれ、2023年3月24日に94歳で亡くなりました。彼はアメリカの電気工学者であり、実業家としても知られ、特に半導体メーカーであるインテルの共同創業者として名を馳せました。

経歴

彼の科学への興味は中学校時代から始まり、実験セットで火薬を作ったことがきっかけです。高校ではさらなる興味を持ち、ニトログリセリンを作った経験も持っています。1946年にサンノゼ州立大学に入学し、化学を専攻し、数学を副専攻として学びました。その後、カリフォルニア大学バークレー校に転籍し、1950年に化学の学位を取得しました。彼はさらにカリフォルニア工科大学大学院に進学し、赤外線分光学の研究で博士号を獲得しました。

博士号取得後、ジョンズ・ホプキンズ大学応用物理研究所に勤務しましたが、研究チームが解散したため退職。その後、1956年にウィリアム・ショックレー博士に誘われてショックレー半導体研究所に入りました。ここでロバート・ノイスという盟友と出会いましたが、会社の経営方針と意見の対立から、ノイスらとともにこの会社を去りました。このグループは後に「八人の裏切り者」と呼ばれることになります。

アーサー・ロックの支援により、ムーアは同年にフェアチャイルドセミコンダクターを設立します。1961年には集積回路（IC）の大量生産を開始し、たちまち1960年代の半導体業界でのリーダー的地位を確立しました。1963年にはアンドルー・グローヴを同社に採用しましたが、経営方針の不一致から再びノイスと共に退社し、1968年にはインテルを立ち上げました。

インテルでは、1970年に世界初のDRAMメモリを開発し、翌年にはマイクロプロセッサ4004を世に送り出し、加速度的に成功を収めました。ムーアは1979年に会長に就任し、1987年までCEOとしてインテルを世界の半導体市場のトップまで導きました。

公私にわたる活動

ムーアはインテルを退職した後、妻と共に「ゴードン・アンド・ベティ・ムーア財団」を設立しました。この財団は環境保護や医療、科学研究の支援を行い、毎年約3億ドルを寄付するなど、非常に大きな影響を持つ存在となっています。彼の財団の資産は約64億ドルに達し、アメリカでも最大規模のものとされています。

後世への影響

1965年に提唱した「ムーアの法則」は、半導体業界において記憶容量が2年ごとに倍増するとされ、現在もハイテク産業の重要な指針として広く認識されています。この法則は、GAFAの誕生にも大きな影響を与えたとも言われており、彼の業績は今日の半導体産業に多大な影響を与えています。

受賞歴

ムーアはその業績に対し、数多くの受賞をしています。1990年にはアメリカ国家技術賞、また1993年にジョン・フリッツ・メダルを受賞しました。1997年にはIEEEファウンダーズメダルを授与され、2002年には大統領自由勲章を含む多数の栄誉を受けています。彼の功績は半導体産業だけでなく、広く科学技術の分野においても高く評価されています。

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