[アンチモン]]化インジウム]は、
[インジウム]と
[アンチモン]から構成されるIII-V族化合物[[半導体です。その
結晶構造は
閃亜鉛鉱型をとり、特筆すべきはその高い
電子移動度です。シリコンやヒ化ガリウム(GaAs)を上回る
電子移動度を持つ一方、
バンドギャップが非常に小さく、室温付近では十分な絶縁抵抗を得ることができません。このため、
トランジスタなどの能動素子への応用は限定的です。
しかし、この狭い
バンドギャップと高い
電子移動度という特性が、InSbを特定の用途において非常に魅力的な材料にしています。具体的には、以下の応用が挙げられます。
1. 赤外線検出器:
InSbの狭い
バンドギャップは、赤外線光子を効率よく吸収するのに適しています。そのため、冷却されたInSbは、赤外線検出器、特に長波長赤外線検出器として広く利用されています。高感度で高解像度の赤外線画像を得ることが可能であり、天文学、医療診断、熱画像化などの分野で重要な役割を果たしています。宇宙空間での利用も進んでおり、1992年には
スペースシャトル・エンデバー号において、微小重力下での結晶育成実験が成功しています。この実験によって、高品質なInSb単結晶の製造が可能になり、より高性能な赤外線検出器の開発に繋がりました。
2. 磁気抵抗効果素子:
InSbは、磁場によって電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を示します。この特性を利用して、磁気センサーとして応用されています。磁気抵抗効果素子は、磁場の強さや方向を精密に検出するために使用され、自動車のABSセンサーや各種精密測定機器などに用いられています。
3. テラヘルツ波放射源:
InSbの高い
電子移動度と狭い
バンドギャップは、
テラヘルツ波の発生・検出にも利用できる可能性を秘めています。
テラヘルツ波は、物質の内部構造を非破壊で検査できるなど、様々な応用が期待されていますが、効率的な発生・検出方法の開発が課題となっています。InSbはその点で大きな期待を集めており、今後の研究開発の進展が注目されます。
4. ホール素子:
ホール効果とは、電流が流れる導体に磁場を加えた際に、電流と磁場両方に垂直な方向に電圧が発生する現象です。InSbは、このホール効果が顕著に現れる材料であり、磁場センサや電流センサとして利用されています。
InSbは、その優れた特性にも関わらず、室温での安定性や製造コストなどの課題も残されています。しかし、その高いポテンシャルから、更なる研究開発が進められ、より高性能なデバイスの実現が期待されています。特に、
テラヘルツ波技術の発展とともに、InSbの応用範囲は今後更に拡大していくと予想されます。