走査型トンネル顕微鏡(STM)
走査型トンネル顕微鏡(Scanning Tunneling Microscope, STM)は、1982年にゲルト・ビーニッヒとハインリッヒ・ローラーによって開発された計測装置です。この顕微鏡は、非常に鋭い探針を用いて導電性の物質の表面や、その上に吸着した
分子の電子状態や構造を観察することができます。STMという名称は、探針と試料の間で発生するトンネル電流に由来しています。
原理
STMの基本的な原理は、非常に近接した探針と試料間で発生する
トンネル効果です。この装置では、探針が試料の表面に接近すると、衝突前にトンネル電流が流れ始めます。この電流を測定することで、試料表面の電子状態密度を把握することができます。探針と試料の距離には指数関数的な減衰があるため、
原子一つ程度の近距離でトンネル電流の値が大きく変わります。この特性により、
原子レベルでの精密な観察が可能になります。
探針の動作には圧電素子を用いており、高い精度をもって探針を移動させることが可能です。観測されたトンネル電流は、表面の電子状態の波動関数から導かれるものであり、試料の凹凸を直接見ているわけではありません。また、導電性のない物質の観察はできない点も印象的です。
観測方法としては、探針と表面の距離を一定にした状態で電流を測定する方法や、逆にトンネル電流を一定に保ちながら距離を測る方法があります。この装置は大気中や液体中での観測も行えるため、様々な環境下で利用されます。さらに、非弾性トンネル電流を活用することで、表面
分子の
振動を励起したり、
分子の結合を切断したりすることも可能です。
歴史
STMの開発は、
1978年に
IBMの
チューリッヒ研究所でハインリッヒ・ローラーが始めた電気特性の研究に端を発します。彼はゲルト・ビーニッヒとの共同作業により、10nm以下の範囲で観察を行うための装置を開発しました。探針を試料に近づける際に偶発的な接触による破損を避けるため、ビーニッヒは
トンネル効果を利用した非接触測定の手法を考案しました。この技術によって、彼らは画期的な精度での観測を実現しました。
1982年には、実際に
原子一個分の段差を測定できることが確認され、STMの実用性が評価されるようになりました。
1983年には長年の謎であったシリコンの(111)表面構造の解明に寄与し、この装置の信頼性が広く認められるようになりました。ビーニッヒとローラーはこの業績により、
1986年にノーベル物理学賞を受賞しました。
装置機構
STMの探針は、精密な機械研磨や電解研磨によって鋭く研磨されます。また、初期の探針は先端半径が約100nmでしたが、技術の進歩により10nmの尖端を持つ探針が開発されました。STMの測定は
振動に非常に敏感であるため、
振動を抑えるための工夫が施されています。装置の初期には、超伝導磁気浮上が用いられていましたが、冷却に大量の液体ヘリウムが必要だったため、
振動減衰装置へと改良が行われました。
STMは、現在でも多くの科学技術分野で重要な役割を果たしており、表面物理学や材料科学の研究に広く利用されています。